拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
R660±10-50mWF-03BCK-S
分类: 半导体激光器
厂家: Electro Optical Components
产地: 美国
型号: R660±10-50mWF-03BCK-S
更新时间: 2023-02-07 16:00:24
660nm 50mW Laser Diode Module
概述
参数
- 波长 / Wavelength : 660±10 nm
- 输出功率 / Output Power : 50 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 V
- 工作电流 / Operating Current : 250 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 85 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
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