单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
分类: 半导体激光器
厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)
产地: 韩国
型号: QL63H5SA/B/C-R1
更新时间: 2024-07-13 12:43:09
激光二极管 激光模块 635nm InGaAlP 光学水平仪
MOCVD grown 635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure
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概述
参数
应用
1. 光学水平仪 2. 激光模块
特征
1. 可见光输出:λp = 639 nm 2. 光功率输出:20mW CW 3. 封装类型:TO-18(Φ5.6mm) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管 5. TM 模式振荡,单模
详述
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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