小型化和多色发光器件阵列为材料科学和应用物理学的感知、成像和计算提供了一种有前途的工具。通过使用传统的发光二极管可以实现一系列的发射颜色,尽管这一过程会受到材料或设备限制。
概述
参数
- 颜色 / Colors : Infrared
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.95 to 4.5 V
- 正向电流 / Forward Current : 1500 mA
- 波长 / Wavelength : 850 to 860 nm
- 工作温度范围 / Operating Temperature Range : -40...125°C
- 储存温度范围 / Storage Temperature Range : -40...125°C
- 结点温度 / Junction Temperature : 145°C
- 反向电压 / Reverse Voltage : 1V
- 正向电流 / Forward Current : 1500mA
- 浪涌电流 / Surge Current : 5A (t=450µs, D=0.005)
- 电功耗 / Power Consumption : 5.5W
- 热阻结点-焊点 / Thermal Resistance Junction - Solder Point : 9K/W
- ESD耐受电压 / ESD Withstand Voltage : 2kV
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 860nm (I=1A, t=10ms)
- 质心波长 / Centroid Wavelength : 850nm (I=1A, t=10ms)
- 光谱带宽 / Spectral Bandwidth At 50% Of I : 30nm (I=1A, t=10ms)
- 半角 / Half Angle : ±40°
- 活性芯片区尺寸 / Dimensions Of Active Chip Area : 1x1mm
- 上升和下降时间 / Rise And Fall Times Of I : 10/15ns (I=5A, R=50Ω)
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.95V (I=1A, t=100µs), 3.05V (I=1.5A, t=100µs), 3.5V (I=5A, t=100µs)
- 反向电流 / Reverse Current : Not designed for reverse operation
- 总辐射通量 / Total Radiant Flux : 2015mW (I=1.5A, t=100µs), 1360mW (I=1A, t=100µs)
- 辐射强度 / Radiant Intensity : 1150mW/sr (I=1.5A, t=100µs)
- 温度系数 / Temperature Coefficient Of I Or Φ : -0.3%/K (I=1A, t=10ms)
- 正向电压温度系数 / Temperature Coefficient Of V : -2mV/K (I=1A, t=10ms)
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : 0.3nm/K (I=1A, t=10ms)
应用
1.驾驶辅助系统 2.手势识别系统 3.夜视系统 4.相机的红外照明 5.眼动跟踪系统
特征
1.高效率红外光源 2.双层发射器 3.低热阻 4.优化高电流脉冲操作 5.卓越的抗腐蚀性能
规格书
厂家介绍
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