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TE冷却的光电二极管S-010-TE1 光电探测器

TE冷却的光电二极管S-010-TE1

分类: 光电探测器

厂家: Electro-Optical Systems Inc

产地: 美国

更新时间: 2024-08-30 09:07:40

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概述

TE冷却光电二极管系列由安装在热电冷却器上的高性能光电二极管探测器组成,全部采用TO-37或TO-8封装。热敏电阻安装在TEC的冷板上,以提供精确、可靠的温度监控。操作前,请检查电气接线,否则设备可能会遭受灾难性损坏。电力消耗可超过1瓦(1V/1.00A);因此,该封装必须适当地散热。为了降低功耗,建议使用带有安全夹钳的散热硅脂。通过优化的机械装配,温度水平可低于–10oC。

参数

  • 二极管类型 / Diode Type : Si, PbSe
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation : 320-1060nm

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厂家介绍

自1983年以来,Electro-Optical Systems公司一直是一家独立的原始设备制造商,生产涵盖整个紫外可见光-40微米光谱区域的光电探测器/光电二极管组件、探测器组件和定制仪器。我们广泛的产品线应用于OEM仪器和测试设备、光学测试、质量控制、激光检测和表征、测温、光谱、过程控制、环境传感、气体分析、光纤传感、器件表征和各种其他光电子应用。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

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  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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