发光是吸收某一特定波长的光,并以大于吸收的波长发射出光的过程。
光电查精品推荐
- 专业选型
- 正规认证
- 品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
参数
- 探测器类型 / Detector Type : Thermal Absorber (thermopile)
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.19 - 20 um
- 尺寸 / Size : 19mm
- 最大功率 / Maximum Power : 200W
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 2000uW
- 最大平均功率密度 / Max Average Power Density : 45kW/cm2
应用
1. 光电测量 2. 激光功率测量 3. 实验室应用 4. 工业激光系统
特征
1. 模块化概念:5种不同的冷却模块 2. 高性能:快速上升时间(0.6秒),高损伤阈值(45kW/cm²) 3. 紧凑设计:仅20.6毫米厚(15S型号) 4. 智能接口:包含所有校准数据 5. 兼容显示器和PC接口:如MAESTRO, TUNER, UNO等
详述
规格书
厂家介绍
相关产品
-
双色比的光纤红外测温和控制系统iR2
光电探测器
Newport Electronics Inc
探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm
Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。
-
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
光电探测器
Connector Optics LLC
二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
-
4、8、12或16个元素的单片线性阵列
光电探测器
GPD Optoelectronics Corp
二极管类型: Other 工作波长: 1650nm
线性阵列
-
AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
-
用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
相关文章
-
-
基于二维肖特基结的光电探测器的最新进展,这些探测器具有高灵敏度、自驱动工作和快速响应的特点。与传统的大块肖特基结光电探测器相比,二维肖特基结器件有望具有更低的暗电流。
-
由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)游力行研究员和李浩研究员领导的团队采用了一种新颖的差分读出方法,研究了有人工几何约束和无人工几何约束的SNSPD中iDC的空间分布。这种方法可以精确描述 iDCs 的空间来源,揭示探测器内微小几何约束的重要影响。
-
混合过氧化物材料被广泛认为对下一代光子技术有重大的实际影响。由于其独特和更好的光电特性,铅基材料是最常见的。然而,人们认为铅的毒性很高,这可能会减缓甚至阻碍商业化的速度,因此对这些器件中存在的铅提出了一些质疑。
加载中....