近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术,能够捕获详细的3D光谱空间信息,促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。
概述
参数
- 二极管类型 / Diode Type : InGaAs
- 工作波长 / Wavelength Of Operation : 850nm
规格书
厂家介绍
费米子光电技术的市场营销方式如下:
费米子光电技术公司是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感和医疗设备应用。在费米子光电技术公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,致力于满足不同客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。
我们是各种配置和用途的InGaAs光电二极管的专家,我们为自己出色的客户服务和技术能力感到自豪-反应灵敏、创新、灵活。
相关产品
-
双色比的光纤红外测温和控制系统iR2
光电探测器
Newport Electronics Inc
探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm
Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。
-
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
光电探测器
Connector Optics LLC
二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
-
4、8、12或16个元素的单片线性阵列
光电探测器
GPD Optoelectronics Corp
二极管类型: Other 工作波长: 1650nm
线性阵列
-
AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
-
用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
相关文章
-
-
新加坡国立大学(NUS)的研究人员利用钙钛矿纳米晶体开发了一种透射式薄闪烁体,用于实时跟踪和计数单个质子。这种特殊的灵敏度归因于质子诱导的上转换和冲击电离产生的双激子辐射发射。
-
金属和电介质中的共振光学现象在许多领域都有深刻的应用。纳米级的限制允许前所未有地控制表面和界面的光-物质相互作用,操纵和控制光流。
-
用于激光和光电探测器集成的大规模过氧化物单晶阵列的片上可控制造
光电设备中非常需要可寻址的活性层,以实现功能集成和应用。金属卤化物过氧化物由于其优越的光电特性和基于溶液的制造工艺,在光电器件中显示出良好的应用前景。
加载中....