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UPD-5N-IR2-P 光电探测器
精品

UPD-5N-IR2-P

分类： 光电探测器

厂家： ALPHALAS

产地： 德国

型号： UPD-5N-IR2-P

更新时间： 2024-08-28 01:50:27

标签：

光电探测器 脉冲测量 宽光谱 高带宽 超高速

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概述

来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 波长范围 / Wavelength Range : 800 to 2600 nm
  • 上升时间 / Rise Time : 200 ps
  • 暗电流 / Dark Current : 2000 nA
  • 窗口材料 / Window Material : Polished, Glass
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.07 mm

应用

1. 脉冲波形测量 2. 脉冲持续时间测量 3. 精确同步 4. 模式拍频监测 5. 外差测量

特征

1. 超高速操作 2. 上升时间短至15 ps 3. 带宽高达25 GHz 4. 光谱范围从170 nm到2600 nm 5. 紧凑设计 6. 电池或外部电源供电 7. 适用于自由空间光束、FC/PC接头或带SM光纤的引出线

详述

UPD系列超快光电探测器是激光和光子学研究中不可或缺的工具，适用于测量从直流到25 GHz的光波形。它们具有超高速操作、宽光谱范围和紧凑设计，能够在多种应用中提供高精度和高灵敏度的测量结果。该系列产品包括多种型号，适应不同的应用需求，从脉冲波形测量到模式拍频监测，满足各种高性能测量需求。

规格书

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厂家介绍

AlphaLas GmbH是一家德国激光制造商。作为一家高科技激光公司，我们在激光、光学和激光相关电子领域提供广泛的产品。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

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  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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