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DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
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DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

分类: 半导体激光器

厂家: Excelitas Technologies

产地: 美国

型号: DPGEW1S09H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser

更新时间: 2024-08-28 18:18:05

高功率 激光器 红外照明 低成本 激光测距

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概述

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

参数

  • 激光波长 / Wavelength : 0.905um
  • 脉宽 / Pulse Duration : 20 - 20 ns
  • 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength : Not Applicable

应用

1. 激光测距 2. 激光测速 3. 红外照明 4. 激光皮肤治疗

特征

1. 单个epi-cavity芯片输出功率翻倍、三倍或四倍 2. 在20ns脉宽下峰值功率超过100W 3. 高可靠性 4. 小发射面积增加光纤耦合输出 5. 适合高产量的低成本塑料包装 6. 符合RoHS标准

详述

PGEW系列是Excelitas Technologies推出的一款低成本高功率激光二极管系列,适用于商业测距应用。该系列包括单epi和多epi 905 nm脉冲半导体激光器,具有高达四个活性激光层。在20 ns脉宽下,QPGEW四重激光器的输出峰值功率接近100 W。PGEW系列激光器采用T1 ¾(类似TO)塑料封装,适用于高产量应用。其多活性区激光芯片在小发射区域内提供高输出功率,非常适合光纤耦合应用。该系列产品具有高可靠性和稳定性,符合RoHS标准,广泛应用于激光测距、激光测速、红外照明和激光皮肤治疗等领域。

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厂家介绍

Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的,以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFLEX虹膜™固态激光系统在小型封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到要求高性能但需要保持较小形状系数的仪器中。由于主动温度控制,激光器无模式跳变,波长稳定。所有CW iFLEX iRIS激光器都使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能可提供高度稳定的输出功率,并确保在产品的整个使用寿命内保持高功率稳定性。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10.26 μm DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) QCL 半导体激光器 10.26 μm 分布式反馈(DFB)QCL 半导体激光器 AdTech Optics Inc.

    输出功率: 59.3mW

    10.26μm分布反馈(DFB)QCL.

  • 1030nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1030纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1030nm 输出功率: 280mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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