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光电晶体管（Phototransistors）

更新时间：2024-11-21 16:14:07

分类: 光子器件

定义: 一种具有内部电流放大的高响应度半导体光电探测器

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类别：光电探测器

光电晶体管（Phototransistors）详述

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1. 诞生背景

光电晶体管是一种具有内部电流放大的高响应度半导体光电探测器。它的诞生背景主要是为了满足在光通信、光电开关、光电传感等领域中对于高灵敏度、高速度和高信噪比的需求。在半导体材料的发展和光电子技术的推动下，光电晶体管得以诞生并逐渐发展。

2. 相关理论或原理

光电晶体管的工作原理主要基于光电效应和晶体管的放大作用。当光照射到基区时，光子与半导体材料中的价带电子相互作用，产生电子-空穴对。这些电子-空穴对在电场的作用下分离，产生光生电流。由于晶体管的放大作用，这个光生电流被放大，从而实现了对光信号的高灵敏度检测。

3. 重要参数指标

光电晶体管的重要参数指标主要包括响应速度、灵敏度、暗电流和噪声等。响应速度是指光电晶体管从暗状态到饱和状态的转变时间，灵敏度是指光电晶体管对光信号的检测能力，暗电流是指在无光照射情况下的漏电流，噪声是指在信号检测过程中的干扰。

4. 应用

光电晶体管广泛应用于光通信、光电开关、光电传感等领域。在光通信中，光电晶体管可以用于光信号的接收和检测；在光电开关中，光电晶体管可以用于控制电流的开关；在光电传感中，光电晶体管可以用于光强度、光波长等参数的检测。

5. 分类

根据结构和工作原理，光电晶体管主要可以分为PNP型和NPN型两种。PNP型光电晶体管的发射极和集电极是P型半导体，基区是N型半导体；NPN型光电晶体管的发射极和集电极是N型半导体，基区是P型半导体。

6. 未来发展趋势

随着光电子技术的发展，光电晶体管的性能将进一步提高，应用领域将进一步扩大。未来的发展趋势主要是向高速度、高灵敏度、低噪声和低功耗方向发展。

7. 相关产品及生产商

目前市场上主要的光电晶体管产品有Honeywell的SDP8405系列、Vishay的TEPT5600系列等。这些产品在光通信、光电开关、光电传感等领域有广泛的应用。

光电晶体管（Phototransistors）推荐产品

图片名称分类制造商 PDF资料参数描述

AM2520P3C03 光电晶体管 kingbrightusa
KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。
BPW76A 光电晶体管 Vishay Intertechnology 材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请参阅下文。
T5096P 光电晶体管 Vishay Intertechnology 材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 480 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请参阅下文。
MTD8000N4-T 光电晶体管 Marktech Optoelectronics 材料: Metal 波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请参见下文。
PT008-SMC 光电晶体管牛尾材料: Silicone 波长（光谱灵敏度）: 900 nm
来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请参见下文。
PT010-05 光电晶体管牛尾材料: Clear Epoxy Resin 波长（光谱灵敏度）: 900 nm
Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请参阅下文。
L14G3 光电晶体管 Light in Motion 材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
SFH 314 光电晶体管 ams OSRAM 材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 460 to 1080 nm
来自OSRAM的SFH 314是光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功率耗散为200 MW，波长（光谱灵敏度）为460至1080 nm.SFH 314的更多细节可以在下面看到。
SFH 3710 光电晶体管 ams OSRAM 材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 350 to 950 nm
来自OSRAM的SFH 3710是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至950 nm.有关SFH 3710的更多详细信息，请参阅下文。
KPT081M31 光电晶体管 Kyosemi Opto America Corp 波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。