MTD8000N4-T

分类：光电晶体管

厂家： Marktech Optoelectronics

产地：美国

型号： MTD8000N4-T

更新时间： 2024-08-25 01:47:55

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概述

Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

参数

材料 / Material : Metal
安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
RoHS / RoHs : Yes
集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm

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厂家介绍

Marktech光电成立于1985年，是一家领先的红外发射器、点源LED、紫外-可见-红外探测器（硅光电二极管、InGaAs探测器）和LED发射器的制造商，也是Cree LED和SETi LED的增值分销商。我们的标准组件可通过Digikey和Mouser获得。我们还根据OEM规格定制设计工程师组件。我们的现场工程和测试团队与原始设备制造商合作，设计发射器、红外探测器、探测器-发射器对和组件，以优化产品性能并较大化总成本效益。此外，Marktech可以使用紫外-可见-红外探测器将发射器分类或分类到精确的峰值波长（±1nm），以匹配化学分析和诊断应用。我们位于加利福尼亚州西米谷的工厂可以生产用于分析仪器和工业传感应用的快速、高灵敏度硅光电二极管探测器和探测器阵列。我们还制作了InGaAs pin光电二极管，用于SWIR检测。

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