光电查为您提供269个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

• 

  gRAY激光功率检测器

  瑞士

  分类：光电探测器

  厂商：greenTEG AG

  探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.19 - 15 um 尺寸: 2mm 最大功率: 0.5W 噪声等效功率: 10uW

  激光功率探测器在2x2mm2上测量高达500mWGreenteg在其产品组合中增加了一款微型激光功率探测器瑞士，2016年1月-Greenteg进一步将其激光功率传感技术小型化，用于OEM应用。灰色B0.5-SC在仅2×2 mm2的表面上测得高达500 MW。该探测器可作为裸片组件或安装在PCB上，便于OEM系统集成。由于其尺寸小，该探测器特别适用于激光源内部的测量。Greenteg将在Photonics West 2016的4356号展位展示该探测器。灰色B0.5-SC探测器没有角度依赖性（±30°），并且在从190nm到15μm的光谱范围内测量。该探测器可以像SMD元件一样进行回流焊接，从而实现简单的机械和电气系统集成。在更高的体积下，B0.5-SC是较具成本效益的探测器之一。有关Greenteg激光功率探测器的更多信息，请访问灰度激光功率探测器产品组合Gray B0.5-SC补充了Greenteg的封装、安装和裸片激光功率探测器产品组合。Greenteg的探测器基于热电堆技术。专利工艺能够生产厚度为0.6毫米的探测器。这使得在有限的环境中容易集成，并且小于一秒的快速上升时间导致激光工艺的改进控制和降低成本。

• 

  UPD-100-IR1-P

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA

  来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-15-IR2-FC

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA

  来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-200-SD

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

  来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-200-SP

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

  来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-200-UD

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

  来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-200-UP

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

  来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-2M-IR2-P-1TEC

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 0.3 nA

  AlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器，波长范围为900~1700nm，上升时间为75000ps，暗电流为0.3nA，带宽为0.004GHz，有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。

• 

  UPD-2M-IR2-P

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 5 nA

  来自AlphaLas的UPD-2M-IR2-P是波长范围为900至1700nm、上升时间为75000ps、暗电流为5nA、带宽为0.004GHz、有源区直径为3.14mm的光学探测器。有关UPD-2M-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-30-VSG-P

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA

  来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-300-SD

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

  AlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-300-SP

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

  AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-300-UD

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

  AlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器，波长范围为170~1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-300-UP

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

  AlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器，波长范围170~1100nm，上升时间300ps，暗电流0.01nA，带宽1GHz，有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-35-IR2-D

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。

• 

  UPD-35-IR2-FC

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。

• 

  UPD-35-IR2-FR

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-FR的更多详情见下文。

• 

  UPD-35-IR2-P

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-IR2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-P的更多详情见下文。

• 

  UPD-35-UVIR-D

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-D的更多详情见下文。

• 

  UPD-35-UVIR-P

  德国

  分类：光电探测器

  厂商：ALPHALAS

  光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

  来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-P的更多详情见下文。