由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
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概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 波长范围 / Wavelength Range : 320 to 1100 nm
- 上升时间 / Rise Time : 300 ps
- 暗电流 / Dark Current : 0.01 nA
- 窗口材料 / Window Material : Polished, Glass
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.283 mm
应用
1. 脉冲形状测量 2. 脉冲持续时间测量 3. 精确同步 4. 模式拍频监测 5. 外差测量
特征
1.超高速操作 2.上升时间:从15 ps起 3.带宽:高达25 GHz 4.光谱范围:170 - 2600 nm 5.紧凑设计 6.电池或外部电源供电 7.适用于自由空间光束、FC/PC插座或带有单模光纤的光纤耦合
详述
规格书
厂家介绍
AlphaLas GmbH是一家德国激光制造商。作为一家高科技激光公司,我们在激光、光学和激光相关电子领域提供广泛的产品。
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AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
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