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有效面积直径
Active Area Diameter（mm）
确定 取消 -
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
上升时间
Rise Time（ns）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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热释电激光探测器 420M7-25
厂家：Eltec Instruments Inc
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LPD 3080
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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UPD-2M-IR2-P-1TEC
厂家：ALPHALAS
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UPD-35-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-3N-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-40-UVIR-D
厂家：ALPHALAS
光电查为您提供269个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2100 nm 上升时间: 150 ps 暗电流: 90 nA
来自AlphaLas的UPD-3N-Ir2-P是波长范围为800至2100nm、上升时间为150ps、暗电流为90nA、带宽为0.4GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-3N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学探测器。有关UPD-40-IR2-D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz的光学检测器。有关UPD-40-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-Ir2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学探测器。有关UPD-40-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA
来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。UPD-40-UVIR-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 0.5 nA来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-UVIR-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 500 to 1690 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 5000 nA来自AlphaLas的UPD-40-VSI-P是波长范围为500至1690nm、上升时间为40ps、暗电流为5000nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-40-VSI-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。UPD-70-IR2-D的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。
