由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
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概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 波长范围 / Wavelength Range : 800 to 1700 nm
- 上升时间 / Rise Time : 40 ps
- 暗电流 / Dark Current : 0.5 nA
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.0028 mm
应用
1. 脉冲波形测量 2. 脉冲持续时间测量 3. 精确同步 4. 模式拍频监测 5. 外差测量
特征
1. 超高速运行 2. 上升时间从15 ps起 3. 带宽高达25 GHz 4. 光谱范围从170到2600 nm 5. 紧凑设计 6. 电池或外部电源供电 7. 适用于自由空间光束、FC/PC接口或带SM光纤的光纤耦合
详述
规格书
厂家介绍
AlphaLas GmbH是一家德国激光制造商。作为一家高科技激光公司,我们在激光、光学和激光相关电子领域提供广泛的产品。
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二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
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