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有效面积直径
Active Area Diameter（mm）
确定 取消 -
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
上升时间
Rise Time（ns）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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热释电激光探测器 420M7-25
厂家：Eltec Instruments Inc
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LPD 3080
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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UPD-2M-IR2-P-1TEC
厂家：ALPHALAS
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UPD-35-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-3N-IR2-P
厂家：ALPHALAS
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UPD-40-UVIR-D
厂家：ALPHALAS
光电查为您提供269个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 to 1650 nm 上升时间: 500 ps 有效面积直径: 0.03 mm来自Menlo Systems的APD310是波长范围为850至1650nm、上升时间为500ps、带宽调制带宽：5至1000MHz、有源区直径为0.03mm的光学检测器。有关APD310的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 波长范围: 400 to 1650 nm 上升时间: 0.5 ns 有效面积直径: 0.25 mm来自Menlo Systems的FPD310是波长范围为400至1650nm、上升时间为0.5ns、带宽调制带宽为5至1000MHz、有效区域直径为0.25mm的光学检测器。有关FPD310的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 波长范围: 400 to 1650 nm 上升时间: 2 ns 有效面积直径: 0.25 mm来自Menlo Systems的FPD510是波长范围为400至1650nm、上升时间为2ns、带宽调制带宽为DC至200MHz、有效区域直径为0.25mm的光学检测器。有关FPD510的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 950 to 1650 nm 上升时间: 1 nsMenlo Systems的FPD610-FC-NIR是一种光学检测器，波长范围为950至1650 nm，上升时间为1 ns，带宽调制带宽：DC至200 MHz.有关FPD610-FC-NIR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 400 to 1000 nm 上升时间: 1 ns 有效面积直径: 0.25 mm来自Menlo Systems的FPD610-FC-VIS是一种光学检测器，波长范围为400至1000 nm，上升时间为1 ns，带宽调制带宽：DC至500 MHz，有效区域直径为0.25 mm.有关FPD610-FC-VIS的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 950 to 1650 nm 上升时间: 1 ns 有效面积直径: 0.08 mmMenlo Systems的FPD610-FS-NIR是一种光学检测器，波长范围为950至1650 nm，上升时间为1 ns，带宽调制带宽：DC至200 MHz，有效区域直径为0.08 mm.有关FPD610-FS-NIR的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 400 to 1000 nm 上升时间: 1 ns 有效面积直径: 0.4 mm来自Menlo Systems的FPD610-FS-VIS是波长范围为400至1000nm、上升时间为1ns、带宽调制带宽为DC至200MHz、有效区域直径为0.4mm的光学检测器。有关FPD610-FS-VIS的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 0.175 nS 暗电流: 2 nAMKS|Ophir的FPD-IG-175是一款光学探测器，波长范围为900至1700 nm，上升时间为0.175 ns，暗电流为2 nA，带宽为2 GHz，响应度/光敏度为1.1 A/W.FPD-IG-175的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 0.025 nS 暗电流: 3 nAMKS|Ophir的FPD-IG-25是一款光学探测器，波长范围为900至1700 nm，上升时间为0.025 ns，暗电流为3 nA，带宽为15 GHz，响应度/光敏度为0.95 A/W.FPD-IG-25的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 3 nS 暗电流: 10 nAMKS|Ophir的FPD-UV-3000是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为3 ns，暗电流为10 nA，带宽为118 MHz，响应度/光敏度为0.58 A/W.FPD-UV-3000的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 0.3 nS 暗电流: 0.1 nAMKS|Ophir的FPD-VIS-300是一款光学探测器，波长范围为320至1100 nm，上升时间0.3 ns，暗电流0.1 nA，带宽1.2 GHz，响应度/光敏度0.5 A/W.FPD-VIS-300的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 193 to 1100 nm 上升时间: 1.5 nS 暗电流: 0.3 to 1 nAMKS|Ophir的FPS-1是一款光学探测器，波长范围为193至1100 nm，上升时间为1.5 ns，暗电流为0.3至1 nA，带宽为233 MHz，响应度/光敏度为0.45 A/W.
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 1310,1550nmOSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计，具有低背反射和低偏振相关损耗（PDL）。探测器模块具有高可靠性，符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤，并提供两种背向反射水平。
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 1550nmOSI激光二极管公司LDPA 0003R PINFET为光接收机系统提供了出色的解决方案
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二极管类型: InGaAs 工作波长: 850, 1310, 1550nmOSI激光二极管公司PINFET为需要高灵敏度和的光接收器系统提供了出色的解决方案
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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息，请联系我们。
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探测器类型: Pyroelectric 光谱范围: 1 - 12 um与其他热释电和热电堆传感器相比，该系列具有高灵敏度、更快的响应速度、快速开启、更低的功耗、更多的可配置性和更容易集成，这使得EzPyro™SMD成为气体、火焰、运动和姿态检测的独特解决方案。EZPyro™传感器内的独特薄膜热电传感器提供高SNR和大动态范围。
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探测器类型: Pyroelectric 光谱范围: 0.620 - 4.48 um 尺寸: 5.2mm用于火焰检测的EZPyro系列薄膜数字热电传感器在行业标准TO-39封装中将高质量传感器与高水平的可配置电子集成相结合。高灵敏度与快速响应时间相结合，确保快速准确的火焰检测。高动态范围允许检测附近或更远距离的小火焰和大火焰。这些传感器集成了数字电流模式读数，在火焰闪烁的整个频率范围（3-30 Hz）内提供高响应度。可编程增益和滤波为系统设计提供了极大的灵活性。工业标准I2C通信支持与微控制器的即插即用连接，并允许轻松调整和校准。随着时间的推移，Pyreos传感器非常稳定，确保了较长的免维护运行寿命。可提供各种滤光器选项。这些传感器也可以采用菊花链连接，以便在器件之间实现同步采样，并提供各种低功耗模式。