基于二维肖特基结的光电探测器的最新进展,这些探测器具有高灵敏度、自驱动工作和快速响应的特点。与传统的大块肖特基结光电探测器相比,二维肖特基结器件有望具有更低的暗电流。
FPD310
High Sensitivity Fast PIN Photodetector
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon, InGaAs
- 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1650 nm
- 上升时间 / Rise Time : 0.5 ns
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.25 mm
规格书
厂家介绍
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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
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光电探测器
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AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
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