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  • SES8-808B-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 803 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 8 A

    II-VI Incorporated的SES8-808B-01是一款激光二极管,波长为803 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为8 A,阈值电流为1.2 A.SES8-808B-01的更多详情见下文。

  • SES8-808C-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 8 A

    II-VI Incorporated的SES8-808C-01是一款激光二极管,波长为808 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为8 A,阈值电流为1.2 A.SES8-808C-01的更多详情见下文。

  • SES9-915-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 915 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-915-01是波长为915nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-915-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES9-940-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-940-01是波长为940nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-940-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES9-975-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 975 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-975-01是波长为975nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-975-01的更多详细信息,请联系我们。

  • V894-2130-002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 894.593 nm 输出功率: 0.05 mW 工作电流: 0.5 mA

    II-VI Incorporated的V894-2130-002是波长894.593nm、输出功率0.05mW、工作电流0.5mA、工作电流0.5mA的激光二极管。有关V894-2130-002的更多详细信息,请联系我们。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • VGP00012v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 3.75 W 工作电压: 2.15 V 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的VGP00012V5是一款激光二极管,输出功率为3.75 W,输出功率为3.75 W,工作电压为2.15 V,工作电流为4 A.有关VGP00012V5的更多详细信息,请联系我们。

  • VGP00014v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 17 mW 工作电压: 2.25 V 工作电流: 20 mA

    II-VI Incorporated的VGP00014V5是一款激光二极管,输出功率为17 MW,工作电压为2.25 V,工作电流为20 mA,工作电流为20 mA.有关VGP00014V5的更多详细信息,请联系我们。

  • VGP00017v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 2.6 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 2.8 A

    II-VI Incorporated的VGP00017V5是一款激光二极管,输出功率2.6 W,输出功率2.6 W,工作电压2.2 V,工作电流2.8 A.VGP00017V5的更多详情见下文。

  • VGP00020v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 5.25 W 工作电压: 2.25 V 工作电流: 6 A

    II-VI Incorporated的VGP00020V5是一款激光二极管,输出功率为5.25 W,输出功率为5.25 W,工作电压为2.25 V,工作电流为6 A.VGP00020V5的更多详情见下文。

  • Cs - QCW激光器二极管 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

  • Cs 半导体激光器
    Cs
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的CS是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为80至120W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.有关CS的更多详细信息,请联系我们。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 36 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为36 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详情见下文。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 35 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为35 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 500 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics的F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为500至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为500至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详细信息见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 200 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics生产的F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为200至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为200至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • LT1020 760-830纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 20 to 80 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 760-830nm是一种激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为20至80W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.LT1020 760-830 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1020 830-1100纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管,输出功率为0.5至8 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.LT1020 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1030 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)的LT1030 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.8至2 V,工作电流为0.5至8.5 A,阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1030 760-830 nm的更多详细信息。