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  • F8光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    F8光纤耦合激光二极管
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 976nm 输出功率: 500000mW 纤维芯直径: 225um

    新型F8光纤耦合激光二极管。

  • Cs - QCW激光器二极管 半导体激光器
    Cs - QCW激光器二极管
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

  • Cs 半导体激光器
    Cs
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的CS是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为80至120W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.有关CS的更多详细信息，请联系我们。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 36 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为3.3至4.0 V，工作电流为36 A，输出功率（CW）为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详情见下文。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 35 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为3.3至4.0 V，工作电流为35 A，输出功率（CW）为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 500 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics的F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为500至1000 W，工作电压为35至75 V，工作电流为15至51 A，输出功率（CW）为500至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详细信息见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 200 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics生产的F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为200至1000 W，工作电压为35至75 V，工作电流为15至51 A，输出功率（CW）为200至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • LT1020 760-830纳米 半导体激光器
    LT1020 760-830纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 20 to 80 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 760-830nm是一种激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为20至80W，工作电压为1.8至2V，工作电流为0.5至8.5A，阈值电流为100至700mA.LT1020 760-830 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1020 830-1100纳米 半导体激光器
    LT1020 830-1100纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.LT1020 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1030 760 - 830 纳米 半导体激光器
    LT1030 760 - 830 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国莱昂纳多电子公司（Leonardo Electronics US）的LT1030 760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1030 760-830 nm的更多详细信息。

  • LT1030 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    LT1030 830 - 1100 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1030 830-1100 nm是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.LT1030 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1040 760 -830 -1100纳米 半导体激光器
    LT1040 760 -830 -1100纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1040 760-830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830-1100 nm的更多详细信息。

  • LT1040 760 - 830 纳米 半导体激光器
    LT1040 760 - 830 纳米
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国莱昂纳多电子公司（Leonardo Electronics US）的LT1040 760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830 nm的更多详细信息。

  • R1 - QCW 半导体激光器
    R1 - QCW
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息，请联系我们。

  • R1 半导体激光器
    R1
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的R1是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R1的更多详细信息，请联系我们。

  • R5 - QCW 半导体激光器
    R5 - QCW
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R5-QCW是一种激光二极管，波长为830~1100nm，输出功率为80~100W，工作电压为1.85~2V，工作电流为95~330A，阈值电流为10000~28000mA.R5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • R5 半导体激光器
    R5
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的R5是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R5的更多详细信息，请联系我们。

  • S1 - QCW 半导体激光器
    S1 - QCW
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。

  • S1 半导体激光器
    S1
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S1是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1的更多详细信息。

  • S12 - QCW 半导体激光器
    S12 - QCW
    美国
    分类：半导体激光器
    厂商：Leonardo Electronics US
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S12-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S12-QCW的更多细节可以在下面看到。