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  • 美国
  • EM4 Technologies
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  • EM339 制冷型多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率: 3W 波长: 808nm 数值孔径: 0.22 工作电压: 2.3V 工作电流: 4.5A

    EM4公司的EM339是一款高亮度、光纤耦合、制冷型多模激光器。这款高功率激光器器件被密封在行业标准的14针蝶形金属陶瓷封装中,包含用于芯片温度控制的Peltier制冷器和用于温度监测的热敏电阻。适用于光纤激光器、激光泵浦、标记、材料加工和国防等应用场景。

  • 5W冷却9XX多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    中心波长: 915, 940, 960, 975 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 6.5 A 阈值电流: 0.4-0.6 A

    5W COOLED 9XX MULTI-MODE LASERS提供高亮度、高可靠性的光纤耦合设计,适合光纤激光器、镱离子激光泵浦等应用。高可靠性的光纤耦合设计,采用14针蝶形封装。这些高功率激光器适用于需要高亮度的各种应用,具有可靠和坚固的封装。

  • 6W未冷却多模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    中心波长: 915nm/940nm/960nm/975nm±10nm 输出功率: 6W/7W 工作电压: 2.2V 工作电流: 8A/9A 阈值电流: 0.4A/0.6A

    EM4公司的6W未冷却多模激光器,采用14脚蝶形封装,具有高功率光纤耦合输出,适用于高亮度要求的多种应用场景。

  • AC1409系列单模泵浦激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 运行功率: 540-700mW 中心波长: 980nm 波长公差: -1/+1nm (FBG), -5/+5nm (without FBG) 光谱温度漂移: 0.01nm/°C (FBG), 0.30nm/°C (without FBG)

    AC1409系列单模冷却980nm泵浦激光器,提供超过700mW无突跳的光纤耦合功率。采用独特的激光焊接封装技术,确保在严苛的操作条件下高可靠性。通过先进的光纤尾纤构造技术实现改善的偏振消光比(PER)。14针蝶形封装为密封式,可选配光纤布拉格光栅(FBG),包括热电制冷器、热敏电阻、监测光电二极管和UniDry™干燥剂。适用于国防、工业和生命科学等领域。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。

  • EM655 集成高带宽DFB激光器的RF发射器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率设定点: 1310nm设备18mW,C-band设备10mW 中心波长: 1310nm设备, 25°C λ-10λλ+10nm,C-band设备, 25°C λ-1λλ+1nm 光输出功率波动: 65-100PPM 长期功率波动: 0.1-0.2% 温度依赖功率漂移: 0.35%

    EM655是基于精确的DFB激光技术的高性能单频模块。这个RF发射器集成了高带宽光纤耦合DFB激光器,超低噪声激光电流源和温度控制器,还包括光隔离器和背面监测探测器读出放大器。适用于RF链接、CATV、激光器和感测等应用场景。

  • EM650 高功率光纤耦合DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: -15~65°C 电源电压: 4.7~5.5V 电源电流: 3.5A 激光器启用输入电压: GND-0.3V~+0.3V

    EM650是一款高功率光纤耦合DFB激光器,提供超低噪声和温度控制,卓越的频率稳定性、窄线宽、低噪声和稳定的偏振,适用于长距离WDM传输、射频链接、CATV等应用。

  • EM657 高带宽直接调制DFB激光模块 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    输出功率设定点: 1310 nm设备18mW, C-band设备10mW 中心波长: 1310 nm设备λOP-10至λOP+10 nm, C-band设备λOP-1至λOP+1 nm 光输出功率波动: 65至100 PPM 长期功率波动: 0.1至0.2% 温度相关功率漂移: 0.35%/°C

    CWDM INTEGRATED RF TRANSMITTER EM657是一款高带宽直接调制DFB激光模块,适用于射频链路、CATV、激光器和传感等应用。高带宽直接调制DFB激光模块,集成了高带宽光纤耦合DFB激光器、超低噪声激光电流源和温度控制器,还包含光隔离器和背面监控探测器读出放大器。