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  • YLS-AMB系列可调节模式光束激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:IPG Photonics
    波长: 1080nm 输出功率: 15000W 运行模式: Continuous Wave (CW), Modulated

    IPG的YLS-AMB可调模式光束激光器可提供高达20 kW的总输出功率,并可自动调节输出光束模式参数。中央核心提供高达12千瓦的输出功率。将输出光束模式独立地可编程调节为小光斑高强度明亮核心到较大环形光束的任意组合,允许处理更宽范围的材料厚度,并提高穿孔和切割速度和质量,以及优化焊接性能,而不需要外部自由空间光学器件,例如光学开关、变焦加工头和以前支持这种灵活性所需的其他外围设备。YLS-AMB系列光纤激光器具有行业记录的输出功率,可通过同一激光器对厚材料和薄材料进行较佳加工。

  • YLS-CL系列镱包层光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:IPG Photonics
    波长: 1070nm 输出功率: 10000W 运行模式: Continuous Wave (CW), Modulated

    IPG推出其新型包层(CL)系列光纤激光器,专门针对包层、焊接、硬化和表面处理应用。IPG的CL系列具有超过40%的墙壁插头效率,是市场上所有其他工业激光器中电力成本较低的。该激光器非常紧凑(8千瓦,小于0.7立方米的外壳),并安装在带有内置干燥器的密封柜中。坚固耐用的免维护激光器可应对恶劣的生产环境。IPG的光纤激光器采用热二极管冗余,比市场上的任何其他激光器都具有更好的可靠性。我们的激光器提供广泛的输出功率能力(4-10 kW)、冷却能力、不同的接口配置和即插即用光纤传输,可提供方形或圆形直径高达1 mm的可互换工艺光纤。IPG已准备好为您提供整体解决方案。

  • Z-轴顶部曲柄架修订版1.0 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RMI Laser, LLC

    •15“X 15”底板•从顶部调整Z轴•垂直铝制20柱(12差旅)•适用于100毫米、163毫米和254毫米镜头•使用锁定手柄定位导轨•提供6“或9”试验板,便于固定

  • V00145 795nm/895nm/894nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 光功率: 0.13 W 工作/焊接温度: -20°C-110°C 储存温度: -40°C-125°C 正向电流(保持单模): 1.5mA

    V00145 795nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用

  • 680纳米VCSEL V00146 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 1.7-5.5 W 储存温度: -40 to 125°C 工作温度: -20°C to 50°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    多横模680nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长:680nm;裸片尺寸:0.22毫米X 0.22毫米;单孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A

    货号:V00151;裸片尺寸:0.52毫米X 0.52毫米100孔;建议的较大峰值功率连续波,100%直流:0.5W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:1W;推荐较大峰值功率5纳秒,0.1%直流:5瓦

  • 850纳米VCSEL V00027 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00027;裸片尺寸:0.87毫米X 0.87毫米281孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

    货号:V00124;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:9W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 850纳米VCSEL V00029 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

    货号:V00029;裸片尺寸:1.26毫米X 1.26毫米770孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

    货号:V00133;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:78W

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00013;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:1.5mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:3mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

    货号:V00002;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:7mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:15mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-

  • 850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

    850nm多模3孔径VCSEL,专为需要高效光功率源的应用而设计。货号:V00147;波长:850;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:70mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:150mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:300mW