光电查为您提供34个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  680纳米VCSEL多模式

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 680nm

  多横模680nm垂直腔面发射激光器（VCSEL），设计用于需要高效光功率源以及可见光范围的应用。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。

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  近红外垂直腔体表面发射激光器0.5W

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：850nm不带漫射器的光功率：0.5瓦

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  近红外垂直腔体表面发射激光器1W

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850nm

  近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：850nm不带漫射器的光功率：1瓦

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  近红外垂直腔体表面发射激光器 2W

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850nm

  近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：850nm不带漫射器的光功率：2瓦

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  近红外垂直腔体表面发射激光器4W

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850nm

  近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：850nm不带漫射器的光功率：4瓦

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  近红外垂直腔体表面发射激光器940nm 0.5W

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 940nm

  近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：940nm不带漫射器的光功率：0.5瓦

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  准940nm VCSEL。

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 940nm

  准（具有高斯光束形状和多模光谱轮廓）940nm VCSEL。

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  准单模670纳米VCSEL

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 670nm

  准单模（高斯光束形状；具有多模光谱轮廓）670nm VCSEL，具有线性偏振发射。红色波长非常适合需要光束可见度的应用，例如对准传感器和需要小光斑尺寸的高分辨率应用。

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  真正的单模895纳米VCSEL

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 895nm

  设计了一种具有线性偏振发射的真正单模895nm垂直腔面发射激光器。

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  V00145 795nm/895nm/894nm VCSEL；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 795 nm 光功率: 0.13 W 工作/焊接温度: -20°C-110°C 储存温度: -40°C-125°C 正向电流(保持单模): 1.5mA

  V00145 795nm VCSEL；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

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  V00140 895nm/894nm/795nm VCSEL；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 895 nm 光功率: 0.3 W 操作/焊接温度: -20°C to 110°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流(保持单模): max. 1.5mA

  V00140 895nm VCSEL；现货，其他规格也有存货（如894nm/795nm/808nm），如有需要，请联系我们。单模；窄线宽； 应用：原子钟、磁力计。

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  680纳米VCSEL V00146 - 多模式

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 680 nm 光功率: 1.7-5.5 W 储存温度: -40 to 125°C 工作温度: -20°C to 50°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

  多横模680nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）设计用于需要高效光功率源以及可见光范围。该产品可以创建具有高分辨率的小尺寸光斑。 波长：680nm；裸片尺寸：0.22毫米X 0.22毫米；单孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；

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  940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

  波长：940nm；裸片尺寸：0.175 mm X 0.215 mm3个光圈；建议较大峰值功率CW，100%DC：15 MW；

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  850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850 nm 光功率: 0.5 W 操作/焊接温度: -40°C - 100°C 储存温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A

  货号：V00151；裸片尺寸：0.52毫米X 0.52毫米100孔；建议的较大峰值功率连续波，100%直流：0.5W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：1W；推荐较大峰值功率5纳秒，0.1%直流：5瓦

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  850纳米VCSEL V00027 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

  货号：V00027；裸片尺寸：0.87毫米X 0.87毫米281孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

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  850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

  货号：V00124；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：9W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

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  850纳米VCSEL V00029 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

  货号：V00029；裸片尺寸：1.26毫米X 1.26毫米770孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

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  850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

  货号：V00133；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：78W

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  940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

  货号：V00059；裸片尺寸：0.87mm X 0.87mm 281孔径；建议较大峰值功率CW，100%DC：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

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  940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

  美国

  分类：半导体激光器

  厂商：Vixar Inc.

  操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

  货号：V00081；裸片尺寸：0.9毫米X 1.00毫米550孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：8W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W