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  • QLD-945-200S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 947.3 nm 输出功率: 0 to 0.2008 W 工作电压: 1.73 V

    QLD-945-200S是一种波长为947.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.2008W,工作电压为1.73V,工作电流为0.219~0.241A,阈值电流为28mA.有关QLD-945-200S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-945-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 948.4 nm 输出功率: 0 to 0.3012 W 工作电压: 1.88 V

    QLD-945-300S是Qphotonics公司生产的波长为948.4nm的半导体激光器,输出功率为0~0.3012W,工作电压为1.88V,工作电流为0.319~0.351A,阈值电流为30mA.有关QLD-945-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-960-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 961.6 nm 输出功率: 0 to 0.1498 W 工作电压: 1.52 V

    来自Qphotonics的QLD-960-150S是波长为961.6nm的激光二极管,输出功率为0至0.1498W,工作电压为1.52V,工作电流为0.17 1至0.188A,阈值电流为34mA.有关QLD-960-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 980 nm 输出功率: 0 to 0.15 W 工作电压: 1.87 V

    来自Qphotonics的QLD-980-150S是波长为980nm的激光二极管,输出功率为0至0.15W,工作电压为1.87V,工作电流为0.17至0.17A,阈值电流为19mA.有关QLD-980-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976.3 nm 输出功率: 0 to 0.3001 W 工作电压: 1.67 V

    Qphotonics公司的QLD-980-300S是波长为976.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.3001W,工作电压为1.67V,工作电流为0.325~0.358A,阈值电流为42mA.有关QLD-980-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-50S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 980 nm 输出功率: 0 to 0.05 W 工作电压: 1.7 V

    Qphotonics公司的QLD-980-50S是波长为980nm的激光二极管,输出功率为0~0.05W,工作电压为1.7V,工作电流为0.10 5~0.105A,阈值电流为18mA.有关QLD-980-50S的更多详细信息,请联系我们。

  • 1310纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 6 to 15 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1310nm Fabry-Perot激光器是波长为1310nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为6至15mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1330系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 30 mA

    OSI Laser Diode,Inc.的1330系列是一款激光二极管,波长为1310 nm,输出功率为0.18 W,工作电压为1.2至1.6 V,阈值电流为30 mA,输出功率(CW)为0.18 W.1330系列的更多详情见下文。

  • 1530系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 35 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1530系列是波长为1550 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为35 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • 1550纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 10 to 14 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1550nm Fabry-Perot激光器是波长为1550nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为10至14mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1630系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1625 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1630系列是波长为1625 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为45 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVB 450-TO56R 半导体激光器
    美国
    芯片技术: GaN 工作模式: Pulsed Laser 波长: 450 nm 输出功率: 0 to 2 W 工作电压: 6 V

    来自OSI Laser Diode的CVB 450-TO56R是一个激光二极管模块,是一个以3针同轴格式封装的450 nm GaN激光二极管。激光二极管与200/230/500um光纤尾纤光学耦合。该装置包括ESD保护二极管。CVB 450-TO56R激光二极管模块专为需要脉冲光功率的非制冷光学计量应用而设计。它符合RoHS标准。

  • CVD 163 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 35 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 163是波长为905nm、输出功率为35W、输出功率(CW)为35W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 165 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 60 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 165是波长为905nm、输出功率为60W、输出功率(CW)为60W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 167 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 100 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 167是波长为905nm、输出功率为100W、输出功率(CW)为100W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 193 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 40 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 193是波长为850nm、输出功率为40W、输出功率(CW)为40W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 195 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 10 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 195是波长为850nm、输出功率为10W、输出功率(CW)为10W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 197 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 20 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 197是波长为850nm、输出功率为20W、输出功率(CW)为20W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 206 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 860 nm 输出功率: 30 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 206是波长为860nm、输出功率为30W、输出功率(CW)为30W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。