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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1440个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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中心波长: 3.34µm (CH1), 4.26µm (CH2), 4.47µm (CH3), 4.71µm (CH4) 滤波器带宽: 130±20nm (CH1), 180±20nm (CH2), 80±20nm (CH3), 100±20nm (CH4) 探测率D*: ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH1), ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH2), ≥2.3×10^9cm·Hz1/2/W (CH3), ≥2.0×10^9cm·Hz1/2/W (CH4) 输出噪声密度: ≤700nV/Hz1/2 电压响应度: ≥1.4×10^4V/W (CH1, CH2, CH3), ≥1.1×10^4V/W (CH4)4EF-5是一款多波段四通道红外检测模块。它采用热电制冷光伏多结四元素2×2阵列探测器，基于InAsSb异质结构，集成有四通道跨导预放大器和热电制冷器控制器。该模块使用四个带通滤波器，中心波长分别为：3.34 µm (CH1)、4.26 µm (CH2)、4.47 µm (CH3) 和 4.71 µm (CH4)。4EF-5适用于检测常见气体。
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截止波长: 3.0±1.0µm 峰值波长: 5.2±0.5µm 最佳波长: 6.0µm 截止波长(10%): 6.7±0.3µm 探测率D*(λpeak, 25 kV/A): ≥1.0×1010cm·Hz1/2/WLabM-I-6-01是一款基于HgCdTe异质结构的实验室红外检测模块，集成了跨阻放大器和可编程前置放大器。3°楔形硒化锌抗反射涂层窗口防止不必要的干扰效应。该模块需要可编程的“智能”VIGO热电冷却器控制器PTCC-01（单独销售）和Smart Manager软件（免费软件）才能正常运行。LabM-I-6-01模块配备了PTCC-01和Smart Manager，是各种中红外应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计人员提供了灵活的解决方案。
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截止波长: 3.0±1.0µm 峰值波长: 5.2±0.5µm 最佳波长: 6.0µm 截止波长(10%): 6.7±0.3µm 探测率D*(λpeak): ≥2.3×10^10cm·Hz1/2/WUM-I-6是一款通用的“全合一”红外检测模块。基于HgCdTe异质结构的热电冷却、光学浸没光伏探测器，集成了跨阻、直流耦合前置放大器、风扇和热电冷却器控制器，封装在一个紧凑的外壳中。3°楔形硒化锌抗反射涂层窗口可防止不必要的干扰效应。UM-I-6检测模块非常方便和用户友好，因此可以轻松用于各种中波红外应用。
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
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截止波长(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长: 3.5±0.5µm 最佳波长: 4.0µm 截止波长(10%): 4.3±0.3µm 探测率D*: ≥2.0×10^10cm·Hz1/2/WLabM-I-4是一款实验室红外检测模块，采用基于HgCdTe异质结构的光学浸入式光伏探测器，集成了跨导可编程前置放大器。3°角度的蓝宝石窗口防止了不必要的干扰效应。为了正常运行，需要使用可编程的“智能” VIGO 热电制冷器控制器 PTCC-01（需另外购买）和免费的Smart Manager软件。LabM-I-4模块附带PTCC-01和Smart Manager软件，是各种中波红外应用的原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计者提供了灵活的选择。
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探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/WPVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成，排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µmPVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜，以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围，还可以提高高频性能，但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: uncooled IR photovoltaic detector 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.1±0.2µm, 2.0±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.4±0.2µm, 4.4±0.2µm 截止波长λcut-off(10%): ≥5.3µm, ≥5.3µmPV-5-AF系列采用先进的HgCdTe异质结构，具有卓越的性能和稳定性。采用抗条纹技术，大大减少了光学条纹效应。适用于气体检测、监测和分析。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。
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反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。
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反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。
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有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°CAPD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。
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反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/WBack-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。
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有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/WSPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。
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波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mmSPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。