-
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
-
APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。
-
波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。
-
波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHzAPIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。
-
APD 类型: InGaAs 工作波长范围: 50 - 5000 nm在我们的帮助下，您将找到具有高时钟速率、低暗电流和低电容的高质量InGaAs光电二极管，其有效面积为50至5000nm。有不同的外壳可供选择，当然我们也可以提供客户特定的解决方案。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 700nm 波长范围: 185 - 700 nmPMT-101光电倍增管
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 700nm 波长范围: 185 - 875 nm光电倍增管。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 650nm 波长范围: 220 - 650 nm 上升时间: 1.5nsPMT-175具有SBKCS光电阴极和线性14倍增极倍增系统。该装置用于多光谱研究，并可用于特殊用途设备和气体传感器。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 750nm 波长范围: 260 - 750 nm 上升时间: 1.5nsPMT-186（PMT-186-1）具有SBKNACS光电阴极和线性14倍增极倍增系统。PMT-186-1在先进个倍增极之前还有两个前置光电阴极栅极，它可以在受控模式下工作。该设备用于记录可见光和近红外范围内的脉冲信号，以进行多光谱研究。
-
电源: Without Be window ≤ 40W With Be window≤ 100W冷阴极X射线管（PRT）使用内置光电倍增管（PMT）作为电子源，而不是传统的阴极。X射线由照射在PMT光电阴极上的光进行调节。发光二极管、灯或任何其他光源均可用作光源。PRT可应用于医学（X射线断层扫描）、生物学、X射线空间通信、X射线结构和X射线光谱分析设备。
-
暗电流: ≤2·10-8APMT-175具有SbKCs光电阴极和线性14个阳极倍增系统。该装置用于多光谱研究，也可用于专用设备和气体传感器。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 630nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 1.8ns9078B是一个直径为19毫米（0.75英寸）的端窗光电倍增管，带有一个蓝-绿敏感的双碱光电阴极和10个高增益、高稳定性的线性聚焦设计的SBCS倍增电极。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 680nm 波长范围: 280 - 680 nm 上升时间: 1.8ns9085B是一个直径为19毫米（0.75英寸）的端窗光电倍增管，具有增强型绿敏双碱光电阴极和10个高增益、高稳定性的线性聚焦设计的SBCS倍增电极。
-
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 630nm 波长范围: 280 - 630 nm 上升时间: 1.8ns9111B是一款直径为25 mm（1 in.）的紧凑型端窗光电倍增管，具有一个平凹窗口、一个蓝绿色敏感双碱光电阴极和10个高增益、高稳定性的SBCS倍增电极，该倍增电极采用圆形聚焦设计，用于快速定时。9111WB是一款适用于需要UV灵敏度的应用的变体。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 to 1.5 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD100系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.1至1.5 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0.3至0.7 ns.有关FD100系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 150 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.90 A/WFermionics Opto-Technology的FD1000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为80至150 PF，响应度/光敏度为0.10至0.90 A/W.有关FD1000W系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.5 to 2 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD150系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.5至2 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.1至0.3 ns.有关FD150系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 300 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD1500W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为300至450 PF，响应度/光敏度为0.1至0.95 A/W.有关FD1500W系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 400 to 1000 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD2000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为400至1000 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD2000W系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 4 to 7 pF 暗电流: 1 to 5 nAFermionics Opto-Technology的FD300系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为4至7 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.4至1.5 ns.有关FD300系列的更多详细信息，请联系我们。
