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  GUVB-T21GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVC-S10GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

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  GUVC-S40GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

  Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

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  GUVC-T10GD-L

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

  Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVC-T11GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

  Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管，工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成，提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V，光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性，是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

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  GUVC-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-S10SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T10GD-L

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

  Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

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  GUVV-T20GD-U

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

  Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-S12SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVBL-T12GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-S11SD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。

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  GVGR-T10GD

  韩国

  分类：光电二极管

  厂商：GenUV

  光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

  Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管，波长范围为300至510 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息，请联系我们。

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  GAP5000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

  GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为4 MHz，电容为750至2500 PF，暗电流为5至10µA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV200

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV202

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV203

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息，请联系我们。

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  IAV204

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

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  IAV205

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

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  IAV350

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：GPD Optoelectronics

  光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

  GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息，请联系我们。