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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
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波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供813个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: YesExcelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAsExcelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: YesExcelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: YesExcelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pFExcelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。
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波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-022是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-022的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-023是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为6至20 PF，暗电流为0.2至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-023的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-036是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-036的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-005的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-006是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-006的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-007的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-008是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-008的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-009的更多详细信息，请联系我们。