- 德国
-
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
-
APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供332个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
Laser Components的PB55S6060T2S6L是一款光学探测器，波长范围为1至5.2µm，响应度/光敏度为20000至30000 V/W，有效面积直径为9.53 mm.有关PB55S6060T2S6L的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SAF230NX是一款光学探测器，波长范围为550至1050 nm，上升时间为500 psec，暗电流为05至3 nA，电容为1至1.5 PF，响应度/光敏度为45至50 A/W.有关SAF230NX的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SAF500NX是一款光学探测器，波长范围为550至1050 nm，上升时间为500 psec，暗电流为1至5 nA，电容为2至3 PF，响应度/光敏度为45至50 A/W.有关SAF500NX的更多详细信息，请联系我们。
-
来自Laser Components的SAH230NX是一款光学探测器，波长范围为400至1000 nm，上升时间为250 psec，暗电流为0.5至1 nA，电容为1 PF，响应度/光敏度为40 A/W.有关SAH230NX的更多详细信息，请联系我们。
-
来自Laser Components的SAH500NX是一款光学探测器，波长范围为400至1000 nm，上升时间为300 psec，暗电流为1至3 nA，电容为2 PF，响应度/光敏度为40 A/W.有关SAH500NX的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SAR1500X是一款光学探测器，波长范围为400至1000 nm，上升时间为500 psec，暗电流为1至5 nA，电容为4 PF，响应度/光敏度为50 A/W.有关SAR1500X的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SAR3000X是一款光学探测器，波长范围为400至1000 nm，上升时间为800 psec，暗电流为3至10 nA，电容为7 PF，响应度/光敏度为50 A/W.有关SAR3000X的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SAR500X是一款光学探测器，波长范围为400至1100 nm，上升时间为450 psec，暗电流为1.5至3 nA，电容为1.5至3 PF，响应度/光敏度为50 A/W.有关SAR500X的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SARF500是一款光学探测器，波长范围为400至1100 nm，上升时间为3 nsec，暗电流为1至10 nA，电容为1 PF，响应度/光敏度为5至10 A/W.有关SARF500的更多详细信息，请联系我们。
-
Laser Components的SARP500X是一款光学探测器，波长范围为400至1100 nm，上升时间为450 psec，暗电流为0.5至1 nA，电容为1.5至3 PF，响应度/光敏度为50 A/W.有关SARP500X的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/WLaser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管，标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器，有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W，是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻，并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装，非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1.87 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。
-
模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pFLaser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度，并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装，是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG24系列是一款光电二极管，波长范围为2.35µm，电容为60至1040 PF，暗电流为0.2至25 uA，响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W，有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻，在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。
-
模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器，覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器，孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC（温度通量补偿）组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源，采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。
-
模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。
-
模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAE500VX是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，电容为4至10 PF，暗电流为5至30 nA，响应度/光敏度为30至38 A/W，上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD，波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm，有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装，是测距和光通信系统的理想选择。