- 德国
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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/WFirst Sensor的501830是一个光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501830的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 45 to 50 A/WFirst Sensor的501831是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为45至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501831的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 730 pF来自Light Avenue的LA PD120AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为730 PF、暗电流反向暗电流为2至5 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD120AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 90 pF来自Light Avenue的LA PD120BP1是波长范围为940 nm、带宽为350至1100 nm、电容为30至90 PF、暗电流为2至5 nA、上升时间为40 ns的光电二极管。有关LA PD120BP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息，请联系我们。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。