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QD100-0

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 1064 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 250 pF 暗电流: 25 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

Centronic的QD100-0是一种光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为30至250 PF，暗电流为25至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息，请联系我们。

QD100-1

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 250 to 430 nm 电容: 55 to 250 pF 暗电流: 40 to 200 nA 响应度/光敏度: 0.03 to 0.16 A/W

Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为55至250 PF，暗电流为40至200 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息，请联系我们。

QD100-4X

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 800 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG 电容: 12 to 155 pF 暗电流: 20 to 300 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

Centronic的QD100-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为12至155 PF，暗电流为20至300 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息，请联系我们。

QD100-5T

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 130 to 650 pF 暗电流: 5 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.15 to 0.18 A/W

Centronic的QD100-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为130至650 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息，请联系我们。

EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16

美国

分类：光电二极管

厂商：Electro Optical Components

模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

2651A

美国

分类：光电二极管

厂商：EMCORE Corporation

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

来自Emcore Corporation的2651A是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为1000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

2651E

美国

分类：光电二极管

厂商：EMCORE Corporation

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

来自Emcore Corporation的2651E是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为3000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

C30619GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30641GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30642GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

C30645L-080

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

C30662L-200

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

C30665GH-LC

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

EXACTD-332

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

C30902SH Series（系列）雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。