新的Sensors Unlimited 2048R通过中型Camera Link®接口将光谱域光学相干断层扫描成像的速度提高到147 kLps。为了优化性能，三个速度范围涵盖了9.5至80 K、73至126 K和114至147 klps的线速率，提供了扫频源系统所缺乏的灵活性。它们提供血流Oct或捕获大组织体积所需的高分辨率、稳定性和可靠性。该相机小巧纤薄，采用2048像素的InGaAs光电二极管阵列，间距为10μm，孔径高度为210μm。在0.98至1.65μm的短波红外（SWIR）波长范围内提供高光谱分辨率和QE，从而实现更深的成像。所有像素的同步采集提供了重要生物医疗和工业所需的卓越、可重复性和长工作寿命。

CoSpinel——用于人眼安全波长1.5μm固体激光器被动调Q的可饱和吸收体钴掺杂的镁铝尖晶石（Co：MgAl2O4）允许在1.5um的人眼安全波长附近产生具有高峰值功率的短纳秒脉冲，非常适合遥测应用。Co2+掺杂MgAl2O4的吸收光谱在1200~1600 nm波长范围内呈现出较宽的吸收带，表明Co2+离子取代了MgAl2O4晶格中四面体配位的Mg2+离子。具有固态可饱和吸收体的固态激光器的被动Q开关是一种非常有吸引力的Q开关技术，因为它允许开发用于各种应用的紧凑且低成本的纳秒和亚纳秒脉冲的激光源发射波长为1.5µm的激光器在多种工业应用中具有重要意义。这种兴趣首先是由于1.5µm辐射对眼睛的安全性。该波长的其他优点是在大气和熔融石英波导中的高透明度以及灵敏的室温光探测器（Ge和InGaAs光电二极管）的可用性。所有这些都使1.5µm激光器在测距仪、环境传感、电信、外科手术等应用中极具吸引力。Co：尖晶石吸收峰接近1520nm，是人眼安全激光器中较常用的吸收峰。它在1520nm处的吸收截面为3.5×10~（-19）cm~2，在1331nm处的吸收截面为2.8×10~（-19）cm~2，已被报道用作Er，Yb玻璃和Nd：GYSGG，Nd：YAlO_3的调Q晶体。

IG22-26是一系列全色PIN光电二极管，其波长范围覆盖500-2600 nm，具体取决于选件。该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。

高速InGaAs光电二极管

IG17系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.7um。该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。

大面积InGaAs光电二极管

通过将较先进的光电二极管与久经考验的出色Femto LCA电流放大器技术相结合，我们设计了具有卓越性能的新型光电接收器系列。LCA-S-400K可用于大面积Si或InGaAs光电二极管，分别覆盖400至1100 nm和900至1700 nm的光谱范围。放大器的跨阻为107V/A，在1550nm处的较大转换增益为9.5×106V/W。由于跨阻放大器的低噪声性能，较小噪声等效功率（NEP）低至75 FW/√Hz，因此无需进一步求平均值即可检测纳瓦范围内的光信号。

低偏振相关损耗（PDL）InGaAs光电二极管

在我们的帮助下，您将找到具有高时钟速率、低暗电流和低电容的高质量InGaAs光电二极管，其有效面积为50至5000nm。有不同的外壳可供选择，当然我们也可以提供客户特定的解决方案。

Ocean Insight的NirQuest+是一款近红外光谱仪，工作波长为900至2500 nm.其光学分辨率为3.4~10.8nm，动态范围为7500~15000∶1。该光谱仪具有16位A/D分辨率和10000：1的信噪比。它具有像素尺寸为50 X 500µm的InGaAs光电二极管阵列探测器。光谱仪需要5 V的直流电源，消耗250 mA的电流。NIRQUEST+模块尺寸为182 X 110 X 47 mm，适用于谷物水分含量测定、药物成分质量保证/质量控制检测、组织血氧测量、土壤样品成分分析、近红外激光表征、石油和天然气中的碳氢化合物分析、涂层硅晶片的光致发光以及塑料化学成分测定等应用。

来自Xenics的Bobcat 320 TE0和WL系列是SWIR相机，具有带CTIA ROIC的InGaAs光电二极管阵列探测器。它们的分辨率为320 X 256，快照全局快门可提供400 FPS（全帧）至10000 FPS（最小帧为4 X 1像素）的帧速率。这些相机在单增益模式和ITR读出模式下工作。它们具有14位ADC和900-1700 nm的光谱范围。这些相机的全阱容量为70 ke-，读取噪声为110 e-，暗电流小于2e6 e-/s，量子效率为80%。它们需要12 V的直流电源，功耗为4 W.这些相机可以通过GigE Vision（RJ-45）接口进行控制，并具有C-Mount/M42光学接口。Bobcat 320 TE0和WL系列具有非制冷传感器温度稳定功能，Bobcat 320 WL带有无窗非制冷探测器，专门用于激光束分析和激光波前传感应用。这些摄像机采用IP40封装，尺寸为55 X 55 X 74 mm，配有Hirose HR10-7R-SA[73]和SMA连接器。它们是机器视觉、过程监控和科学与高级研究应用的理想选择。

Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。

Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。

这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。