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储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W
OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。
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储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W
FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。
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操作芯片温度: 20-35°C 运行功率: 540-700mW 中心波长: 980nm 波长公差: -1/+1nm (FBG), -5/+5nm (without FBG) 光谱温度漂移: 0.01nm/°C (FBG), 0.30nm/°C (without FBG)
AC1409系列单模冷却980nm泵浦激光器,提供超过700mW无突跳的光纤耦合功率。采用独特的激光焊接封装技术,确保在严苛的操作条件下高可靠性。通过先进的光纤尾纤构造技术实现改善的偏振消光比(PER)。14针蝶形封装为密封式,可选配光纤布拉格光栅(FBG),包括热电制冷器、热敏电阻、监测光电二极管和UniDry™干燥剂。适用于国防、工业和生命科学等领域。