Centronic的QD100-0是一种光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为30至250 PF，暗电流为25至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为55至250 PF，暗电流为40至200 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为12至155 PF，暗电流为20至300 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为130至650 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的SLD1005S是一款超辐射发光二极管，波长为1530至1570 nm，输出功率为20至22 MW，带宽（FWHM）为45至50 nm，工作电流为600至800 mA，正向电压为1.4至1.8 V.

Thorlabs Inc的SLD1018P是一款超辐射发光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为22至30 MW，带宽（FWHM）为40至45 nm，工作电流为600至800 mA，正向电压为1.5至1.8 V.有关SLD1018P的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc生产的SLD1018S是一款超辐射发光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为22至30 MW，带宽（FWHM）为40至45 nm，工作电流为600至800 mA，正向电压为1.5至1.8 V.有关SLD1018S的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的SLD1021S是一款超辐射发光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为10至12.5 MW，带宽（FWHM）为80至85 nm，工作电流为700至900 mA，正向电压为1.55至2 V.SLD1021S的更多详情见下文。

Thorlabs Inc的SLD1023S是一款超辐射发光二极管，波长为1270至1290 nm，输出功率为10至15 MW，带宽（FWHM）为40至45 nm，工作电流为600至800 mA，正向电压为1.4至2 V.SLD1023S的更多详细信息见下文。

SLD1050P-A60是一款低纹波、1050 nm、高功率、宽带超辐射发光二极管（SLD）。它提供60 MW的功率，增益纹波为0.06 dB，光学3 dB带宽为70 nm.该SLD采用蝶形封装，带有TEC和集成热敏电阻，可进行温度控制，从而稳定功率和频谱。其输出耦合到1.5米长的PM980-XP光纤，该光纤通过FC/APC连接器端接。

Thorlabs Inc的SLD1050P是一款超辐射发光二极管，波长为1030至1070 nm，输出功率为6至8 MW，带宽（FWHM）为40至50 nm，工作电流为300至360 mA，正向电压为2至2.5 V.有关SLD1050P的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的SLD1050S-A60是一款超辐射发光二极管，波长为1025至1075 nm，输出功率为55至60 MW，带宽（FWHM）为60至70 nm，工作电流为1010 mA，正向电压为2至2.5 V.有关SLD1050S-A60的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的SLD1050S是一款超辐射发光二极管，波长为1030至1070 nm，输出功率为6至8 MW，带宽（FWHM）为40至50 nm，工作电流为300至360 mA，正向电压为2至2.5 V.有关SLD1050S的更多详细信息，请联系我们。

Gentec-EO UD10-2-H5-L热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM用户提供的各种可能性。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

OSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix公司的IPSDD1001是一种超辐射发光二极管，波长为1020 nm，输出功率为10 MW，带宽（FWHM）为100 nm，工作电流为250 mA，正向电流为400 mA（最大电流）。有关IPSDD1001的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD1002是超辐射发光二极管，波长为1030至1050 nm，输出功率为5至10 MW，带宽（FWHM）为65至70 nm，工作电流为250至300 mA，正向电流为500 mA（最大电流）。有关IPSDD1002的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD1003是一款超辐射发光二极管，波长为1040至1060 nm，输出功率为30 MW，带宽（FWHM）为55 nm，工作电流为400至500 mA，正向电流为600 mA（最大电流）。有关IPSDD1003的更多详细信息，请联系我们。