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IPSDD1003 超辐射发光二极管
精品

IPSDD1003

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD1003

更新时间: 2024-08-29 05:42:46

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 低光谱波动 宽光学带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD1003是一款超辐射发光二极管,波长为1040至1060 nm,输出功率为30 MW,带宽(FWHM)为55 nm,工作电流为400至500 mA,正向电流为600 mA(最大电流)。有关IPSDD1003的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器 (FOS) 系统 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描 (OCT)

特征

1. 宽光学带宽 2. 非常低的光谱波动 3. 在SM或PM光纤中具有高输出功率

详述

INPHENIX的IPSDD1003 (1050nm)是一款超辐射发光二极管设备,具有宽光学带宽、非常低的光谱波动和在单模或偏振保持光纤中高输出功率的特点。其应用范围广泛,包括宽带光源、光纤传感器系统、生物医学成像设备和光学相干断层扫描。该产品的技术参数包括中心波长1040至1060nm、3dB带宽55nm、输出功率30mW等。此外,产品支持多种封装和光纤类型,能够满足不同的应用需求。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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