• MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • BMPDT080-1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nA

    II-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为20 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息,请联系我们。

  • INM00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nA

    II-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INO00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 5 to 10 pF

    II-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5至10 PF,暗电流为1至120 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INP02KK40D101 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fF

    II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为18 GHz(O/E),电容为80 FF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息,请联系我们。

  • IA35 Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/W

    Laser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管,标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器,有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W,是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。

  • IG17-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻,并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装,非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。

  • IG19-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1.87 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻,并在宽范围内具有出色的响应度。

  • IG22-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pF

    Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度,并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装,是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

  • IG24-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG24系列是一款光电二极管,波长范围为2.35µm,电容为60至1040 PF,暗电流为0.2至25 uA,响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W,有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息,请联系我们。

  • IG26-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻,在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。

  • SAE230VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管,在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

  • SAE500VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAE500VX是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,电容为4至10 PF,暗电流为5至30 nA,响应度/光敏度为30至38 A/W,上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息,请联系我们。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。