• PV-5-AF series 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: uncooled IR photovoltaic detector 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.1±0.2µm, 2.0±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.4±0.2µm, 4.4±0.2µm 截止波长λcut-off(10%): ≥5.3µm, ≥5.3µm

    PV-5-AF系列采用先进的HgCdTe异质结构,具有卓越的性能和稳定性。采用抗条纹技术,大大减少了光学条纹效应。适用于气体检测、监测和分析。

  • SWIR FPA InGaAs 探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

    VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA(焦平面阵列)采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术,从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

  • MWIR FPA T2SL 红外探测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics

    冷却红外中波红外探测模块,采用VIGO Photonics S.A. 独特技术,提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列,具有可靠的探测性能,适用于苛刻应用。

  • AM03120-01 非制冷红外检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

    AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块,封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗(wZnSeAR),防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供(仅带探测器元件的PCB板),安装在TO8子安装架上,或安装并密封在带窗的TO8封装中。

  • 32EM-5系列 32通道检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    窗口: pAlOAR 接受角Φ: ~70°

    32EM-5是一系列32通道检测模块。热电冷却的中波红外32元件HgCdTe光伏探测器与直流耦合32通道跨阻前置放大器集成。具有高灵敏度和高速响应,适用于光谱学、非接触温度测量等应用。

  • FT-NIR ROCKET 近红外光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围[cm-1]: 11000-4000 光谱范围[μm]: 0.9-2.5 探测器类型: Extended type InGaAs 2-stage TE-cooled 探测器峰值D*[cm Hz1/2W-1]: >2x10^11 信噪比(SNR): >100000:1

    ARCOPTIX FT-NIR Rocket 是一款高性能、紧凑且可靠的近红外光谱仪,适用于近红外光谱的多种应用。其光纤端口使其与反射探头或比色皿等光纤附件直接兼容,用于透射分析液体等。

  • VIS-NIR-DR 宽带光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350-2600nm 决议: < 5nm 测量几何结构: Diffuse illumination, 8° viewing angle 积分球直径: 50mm 积分球入口直径: 10mm

    ARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器,专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪,用于可见光区域的测量,以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并,并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。

  •  VIS-NIR 宽波段光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350nm-2500nm 决议: <1.5nm 光纤输入: 2X SMA-905 单次采集扫描时间: 2 软件接口: Windows 7/10/11

    ARCoptix VIS-NIR 是一款高分辨率、宽波段的光谱仪,覆盖可见光和近红外范围,集成了FT-NIR和光栅光谱仪,用于高分辨率的测量,透射测量、漫反射测量、光源表征和材料识别。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 双面、超线性位置传感器PSD 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 暗电流: 0.025-1.4 μA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C

    双面、超线性位置传感器(Duo-Lateral, Super Linear PSD)采用最先进的双侧技术,提供一个连续的模拟输出,该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例,具有超高精度和宽动态范围,适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。

  •  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 大有源区高速探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    响应度: 900nm, 0.54 A/W 暗电流: 3.00 nA 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√Hz

    Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容,以获得快速响应时间,并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间,适用于高能粒子检测。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。