SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息，请联系我们。

SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息，请联系我们。

SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息，请联系我们。

SunLED的XZrNi45S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi45S的更多详细信息，请联系我们。

SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请联系我们。

来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3032是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）80 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。

来自NTE Electronics，Inc的NTE3120是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为0.01至1 uA，集电极发射极电压（饱和）为1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息，请联系我们。

NTE Electronics，Inc的NTE3123是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流10 uA，集电极发射极电压（饱和）1 V，导通状态集电极电流0.2至0.8 mA，功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息，请联系我们。

Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪，可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm，动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm，光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB，偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口，该端口带有四个4-40分接头，用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源，功耗高达250 W.它采用台式模块，尺寸为541 X 224 X 533 mm，是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。

Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪，可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm，能够对多达100，000个波长点的功率水平进行采样，因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件，如仅发射一种波长的反馈激光二极管（DFB-LD）以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能，单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响，这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

横河电机（Yokogawa Electric Corporation）的AQ6380是一款光谱分析仪，工作波长为1200至1650 nm.它的波长分辨率为0.005-2 nm，步长为0.01 nm，波长精度高达±0.005-±0.05 nm，近动态范围高达65 dB.该频谱分析仪的光回波损耗为30dB，电平灵敏度为-85dB（传统模式）和-72dB（快速模式）。它的最短预热时间为1小时，测量时间为0.2秒。该频谱分析仪需要100至240 V的交流电源，功耗高达100 W.它可以通过以太网、GP-IB、USB和VGA接口进行远程控制，也可以通过10.4英寸彩色LCD触摸屏进行手动控制。AQ6380集成了智能化和功能，包括自动波长校准和优化的扫描速度，可实现更高效的操作。它还包括气体净化机制、全自动波长校准、与高分辨率和高样本计数的兼容性以及单模光纤输入。这款频谱分析仪采用台式模块，尺寸为426 X 221 X 459 mm，配有FC/PC或SC/PC连接器，非常适合WDM测试、DFB-LD测试、LED测试、FP-LD测试、应用管理（添加/删除）和光纤检测应用。

MS9740B是一款光谱分析仪，工作波长范围为600 nm至1750 nm，可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围，测量处理时间小于0.35S（扫描30nm波长）。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度，并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比（SMSR）测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入，是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式，包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器（NF和增益）和WDM滤波器。