全部产品分类
XRNI82B 光电晶体管

XRNI82B

分类: 光电晶体管

厂家: SunLED

产地: 美国

型号: XRNI82B

更新时间: 2024-08-30 14:38:18

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
  • 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V

图片集

XRNI82B图1
XRNI82B图2

规格书

下载规格书

厂家介绍

SunLED是全球领先的光电元件制造商之一。自1989年成立以来,SunLED不断发展壮大,推出了一系列符合RoHS和REACH标准的LED灯、表面贴装LED和LED显示屏。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • AM2520P3C03 光电晶体管 AM2520P3C03 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息,请参阅下文。

  • APL3015P3C 光电晶体管 APL3015P3C 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息,请参见下文。

  • BPV11 光电晶体管 BPV11 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为130至300 MV,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息,请参见下文。

  • BPV11F 光电晶体管 BPV11F 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 900 to 980 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息,请参阅下文。

  • BPW76A 光电晶体管 BPW76A 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请参阅下文。

相关文章

立即咨询

加载中....