全部产品分类
首页 成像 光电晶体管 NTE3039
NTE3039 光电晶体管

NTE3039

分类： 光电晶体管

厂家： NTE Electronics, Inc

产地： 美国

型号： NTE3039

更新时间： 2024-08-25 01:47:44

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 材料 / Material : Silicon
  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
  • 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 30 V

图片集

NTE3039图1
NTE3039图2

规格书

下载规格书

厂家介绍

NTE Electronics，Inc于1979年在新泽西州成立，从一家拥有10个替换零件的小城镇供应商发展成为业内较大的替换半导体供应商。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • AM2520P3C03 光电晶体管 AM2520P3C03 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。

  • APL3015P3C 光电晶体管 APL3015P3C 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请参见下文。

  • BPV11 光电晶体管 BPV11 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请参见下文。

  • BPV11F 光电晶体管 BPV11F 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 900 to 980 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请参阅下文。

  • BPW76A 光电晶体管 BPW76A 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请参阅下文。

相关文章

立即咨询

加载中....