Centronic的OSD50-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为27至290 PF，暗电流为50至200 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD50-3T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为20至320 PF，暗电流为50至500 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关OSD50-4X的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-5T是一款光电二极管，波长范围430至900 nm，电容270至1300 PF，暗电流5至15 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间26 ns.有关OSD50-5T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD60-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为32至350 PF，暗电流为50至300 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD60-3T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD7.5-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为40至180 PF，暗电流为1至3 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD7.5-5T的更多详细信息，请联系我们。

来自Centronic的Q7-0是波长范围为430至1064nm的光电二极管，电容为4至20pF，暗电流为4至15nA，响应度/光敏度为0.47至0.54A/W，上升时间为10ns.有关Q 7-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-0是一种光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为30至250 PF，暗电流为25至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为55至250 PF，暗电流为40至200 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为12至155 PF，暗电流为20至300 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为130至650 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息，请联系我们。

Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。

Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管，工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成，提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V，光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性，是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。