来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压（饱和）0.2V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息，请联系我们。

来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请联系我们。

Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请联系我们。

Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请联系我们。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

APD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。