• FCI-InGaAs-75C-XX-XX 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75CCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75LCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管,电容为0.65pF,暗电流为0.03至2nA,响应度/光敏度为0.80至0.95A/W,上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75WCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管,其波长范围为900至1700 nm,电容为0.65 PF,暗电流为0.03至2 nA,响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W,上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-8M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-Q1000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-Q3000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,电容为15 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管,工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm,并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装,具有宽带双面AR涂层平面窗口,非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • QSDM-1020-2 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:QPhotonics
    光纤模式: Singlemode 光纤类型: HI1060 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser

    来自Qphotonics的QSDM-1020-2是中心波长为1014nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管(SLD)。它提供高达1.5 MW的输出功率,并具有宽度为30 nm(FWHM)的低波纹光谱。该SLD具有高达2.5 V的正向电压和小于300 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

  • QSDM-1650-2 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:QPhotonics
    光纤模式: Singlemode 光纤类型: SMF-28 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser

    来自Qphotonics的QSDM-1650-2是中心波长为1627nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管(SLD)。它提供高达2 MW的输出功率,并具有35 nm(FWHM)的低波纹光谱宽度。该SLD具有高达30%的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它的热敏电阻B常数为3900 K,监控电流高达2 mA.该SLD具有高达2 V的正向电压和小于330 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

  • SLD-1080-30-YY-100 超辐射发光二极管
    德国
    厂商:Innolume
    光纤类型: HI1060, PM980 数值孔径: 0.14, 0.12 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser RoHS: Yes

    Innolume的SLD-1080-30-YY-100是一款光纤耦合超辐射发光二极管,工作波长为1080 nm.它提供超过100mW的连续波输出功率,具有0.03dB的低ASE频谱纹波和-3dB时30nm的带宽。该超发光二极管具有0.15ns的上升时间和0.5ns的下降时间。它有一个内部TEC,需要4 V直流电源,功耗为3 A.SLD-1080-30-YY-100采用HI1060和PM980型光纤,数值孔径分别为0.14和0.12,模场直径分别为6.2±0.3µm和6.6±0.3µm,线偏振较强,偏振消光比为20 dB.它们的长度为1.0±0.1m,光纤弯曲半径大于3cm.这些光纤的涂层直径为245±15µm,包层直径为125±1µm.HI1060和PM980光纤的截止波长分别为920±50 nm和900±70 nm.SLD-1080-30-YY-100符合RoHS规范,使用窄键FC/APC连接器。它需要1.7 V的直流电源,功耗为800 mA.这款超发光二极管采用14引脚蝶形封装,尺寸为30 X 39 X 8.1 mm,非常适合光纤传感器、仪器仪表和光谱应用。

  • 1550AOM-1 声光调制器
    法国
    分类:声光调制器
    厂商:AeroDIODE
    光纤类型: Fiber Coupled 声光材料: Tellurium Dioxide (TeO2) 应用: Q-switching and Pulse Picking

    Aerodiode公司的1550AOM-1是一种二氧化碲(TeO2)声光(AO)调制器,工作波长为1550 nm.它提供高达0.5 W的平均光功率和高达0.5 kW的峰值光功率。该光纤耦合声光调制器的光带宽为80MHz,频移为±80MHz.它的一阶消光比为55 dB,上升时间高达50 ns.该AO调制器具有2.5 dB的插入损耗,并且需要2.5 W的RF功率和50欧姆的输入阻抗。它有一个FC/APC光纤连接器和一个输入SMA连接器,支持最大长度为1米的PM1550光纤。该AOM采用尺寸为65.X 25 X 12.5 mm的模块,是脉冲拾取锁模激光器和Q开关应用的理想选择。

  • 1064LD-1-1-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式CW驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单模光纤输出高达700 MW的CW光功率。与Option-2(3 mm光束准直器)和Option-6(带FBG的窄光谱)兼容。

  • 1064LD-1-2-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式脉冲和连续波驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW的连续波光功率和700 MW的脉冲功率;脉冲持续时间低至1.5ns;脉冲重复频率高达4 MHz.与选件2(3 mm光束准直器)、选件3(250 MHz版本)和选件6(带布拉格光栅的窄发射光谱)兼容。

  • 1064LD-1-3-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: Standard with Bragg

    开放式脉冲和连续波驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。高达400 MW连续波光功率和1500 MW脉冲功率;脉冲持续时间低至1.5ns;脉冲重复频率高达10 MHz.与Option-2(3 mm光束准直器)和Option-3(250 MHz版本)兼容。

  • 1064LD-2-LN-1 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1064 nm 技术: DFB

    开放式超低噪声CW驱动器,配有1064 nm蝶形激光二极管、FC/APC光纤连接器和900µm光纤保护涂层。单频应用需要低噪声驱动器。单模光纤输出高达200 MW的连续波光功率。与Option-2(3mm光束准直器)兼容。注:这些二极管不适用于CW模式中的模式跳变是临界点的应用。

  • 808LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Butterfly single mode

    808nm蝶形激光二极管。高达250 mW CW.配有900µm光纤缓冲器和FC-APC光纤连接器的Hi780光纤。与选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。

  • 1053LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达120 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 1053LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。