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类型: 光参量放大器(OPA) 可调谐: 630 –1030 nm (信号光) 1030 – 2600 nm (闲频光) 超快激光: 应用于飞秒激光系统 脉冲能量: 泵浦单脉冲能量:8 – 20 µJ/20 – 400 µJ(ORPHEUS-HP),400 – 2000 µJ(ORPHEUS-HE) 光谱宽度: 75 – 220 cm-1@ 700 – 960 nm
ORPHEUS 是共线光参量放大器 (OPA),ORPHEUS 与 PHAROS 或 CARBIDE 飞秒激光器结合,可以输出重复频率高达2MHz、波长从紫外线 (UV) 到中红外 (MIR) 可调谐的飞秒脉冲。因此,它是超快光谱学、非线性显微镜和微结构应用中的宝贵工具。 ORPHEUS 共线 OPA 有三种不同的配置以完美匹配客户不同需求。基础版 ORPHEUS 是一种经济高效的选择,提供630 – 2600nm 的无间隙波长调谐范围,亦可通过外部谐波发生器扩展到210nm。如果需要更高的泵浦功率和更高水平的自动化,ORPHEUS-HP 是更合适的选择。 它提供完全自动化,并将所有波长扩展选项集成到一个热稳定性高的腔体内。波长调节完全无需手调,而是使用了全自动波长分离器,确保190-2600 nm 波长范围的输出光的位置和方向相同。光谱范围最大可扩展至16µm,因此,涵盖了从 UV 到 MIR 的整个光谱。另外,与 ORPHEUS-HP 类似,ORPHEUS‑HE 配置型号也具有上述自动化功能,但同时可接受高泵浦单脉冲能量。
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可调谐: 2500 –4000 nm (信号光) 4000 – 10000 nm (闲频光) 脉冲能量: 200 µJ – 3 mJ 泵浦功率: 80 W 脉冲宽度: < 50 fs
ORPHEUS-MIR是一个经过优化的光学参数放大器(OPA),用于有效地产生宽频带的近红外脉冲。该激光系统在2.5-10微米的调谐范围内提供超短脉冲,并以窄带宽的方式达到15微米。由于新颖的系统设计,ORPHEUS-MIR在输出端直接提供<100 fs的脉冲。信号和怠速输出可同时使用。该系统结构非常适用于高能量和高功率的PHAROS和CARBIDE飞秒泵浦激光器。 ORPHEUS-MIR是一个优秀的高重复率的光谱源,如二维红外(2D IR)和振动和频率生成(SFG)光谱。结合SHBC的窄带宽输出,它形成了一个紧凑的激光系统,用于SFG测量,在一次拍摄中覆盖大部分中红外光谱并提供高光谱分辨率。此外,它的高输出稳定性是快速和高质量SFG成像的关键。 此外,对于需要CEP稳定脉冲的中红外应用,ORPHEUS-MIR在整个2500-15000纳米范围内提供独特的CEP稳定选项。
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类型: Laser System 可调谐: Yes 工作模式: Pulsed Laser 应用行业: Scientific 超快激光: Femtosecond Lasers
CRONUS-2P是一款飞秒激光器,提供瓦级三同步输出,具有高重复率、短脉冲持续时间和GDD控制,是非线性显微镜的终极光源。在标准配置中,两个独立的可调谐输出可单独或同时工作,分别覆盖680 - 960 nm和960 - 1300 nm,而第三个输出固定在1025 nm,可并行访问。因此,CRONUS-2P可用于在多个荧光探针、钙离子指示剂或锇蛋白的吸收最大值处同时激发它们,而二次和三次谐波发射(SHG和THG)可进行光谱偏移,以方便检测或共振增强。 两个可同时调谐的通道还可实现先进的相干反斯托克斯和受激拉曼散射(CARS和SRS)应用,包括双波段成像、更广泛的振动共振频率选择、恒差双光束调谐、共振增强等。
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重复率: 10000 Hz 波长: 1064 nm 电源稳定性: 1 % 脉冲能量: 1mj 光束质量因子(M2): <1.2
PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统,可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性,如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等,使其成为众多科学和工业应用的理想选择,包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W
PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性,采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化,起始波长受GaAs透射率(约0.9μm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构 最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W
PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止了不必要的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/W
PC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低,1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007
PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W
PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。