Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管，工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW，调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装，不带光电二极管，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

来自Laserscom的LDS-1310-FP-1.25G-15/80是耦合到光纤的1310nm InGaAsP激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光输出功率，在脉冲模式下提供高达80 MW的光输出功率。这款法布里-珀罗激光二极管提供高达1.25 Gbps的数据速率，并内置监控光电二极管。该激光二极管是激光系统和数据速率高达1.25 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管，工作波长为1550 nm.输出光功率50mW（脉冲）&15mW（连续），光谱宽度0.08nm，斜率效率0.16W/A，上升/下降时间80ps，跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF，暗电流小于100 nA，阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管，并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源，消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装，并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管，工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW（CW）和45 MW（峰值脉冲）的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔，并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术，可提供增强的光功率热稳定性，跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源，电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管，并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

Macom的APD28A是一款光电二极管，波长范围为1250至1650 nm，带宽为20 GHz，电容为40 PF，暗电流为1000 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为50 PF，暗电流为0.02至0.05 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为200 PF，暗电流为0.04至2 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。

OSI Laser Diode，Inc.的A2V-76是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。