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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fF
Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon
Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes
Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管,有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米(Si)和0.86 X 0.86平方毫米(InGaAs)。为了扩展波长范围,在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF(Si)、45 PF(InGaAs),响应度高达0.7 A/W(Si)、0.9 A/W(InGaAs)。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作,并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。
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波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: Yes
Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪,可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm,动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm,光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB,偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口,该端口带有四个4-40分接头,用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源,功耗高达250 W.它采用台式模块,尺寸为541 X 224 X 533 mm,是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。