• 高亮度半导体激光模块 激光器模块和系统
    列支敦士登
    波长: ~ 980 nm 最大输出功率: 6 W 脉冲宽度: 50 µs - CW 占空比: (0 - 100) % 工作模式: CW & Pulsed

    高亮度二极管激光模块,具有高功率和光谱稳定性,适用于连续波和微秒脉冲操作,提供高斯光束特性。

  • 大功率半导体激光器 激光器模块和系统
    列支敦士登
    输出电压: (2 - 20) V 输出电流(最大): 300 A 供电电压: 24 - 28 V 输入功率(最大): 720 W 上升时间(10 - 90%): ≤ 20 µs

    LDD是一款经济型QCW激光二极管驱动模块,旨在提供高电流脉冲,以驱动2m.i.k.r.o.n.™和3m.i.k.r.o.n.™模块,适用于各种应用。它可提供高达300 A的输出电流,脉冲宽度可变,从50 µs到1000 µs操作。集成了多种安全功能以保护激光二极管和驱动器。

  • 0.9µm - 2.2 µm InGaAs PIN光电二极管 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    反向电压: -- 反向电流: -- 正向电流: 1.5 工作温度: -40+85 储存温度: -40+85

    InGaAs PIN Photodiode,适用于0.9 µm到2.2 µm的光谱范围,提供高灵敏度和低漏电流。适合各种光电应用。

  • 1.7μm InGaAs PIN光电二极管芯片 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7/0.6-1.7 孔径: Ø950/Ø1850/Ø3000 芯片尺寸-长度: 1070±15/2055±15/3285±15 芯片尺寸-宽度: 1070±15/2055±15/3285±15 厚度: 300±20

    该InGaAs PIN光电二极管芯片具有1.7 µm波长截止特性,适用于多种应用场景,具备高可靠性和优异的性能。

  • InGaAs PIN光电二极管PIN 1000 -17-T1 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7µm 孔径: Ø950µm 封装类型: TO-46 / 5P 暗电流: 0.5nA-1nA 并联电阻: 0.5GΩ-2GΩ

    标准1.7 µm截止的InGaAs PIN光电二极管,具有嵌入式单级热电冷却器。

  • InGaAs Quadrant PIN光电二极管芯片 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7µm 孔径尺寸/有效区域: Ø1860/0.625x4mm2 间隙: 75µm 芯片尺寸: 长度2055±15µm,宽度2055±15µm,厚度300±20µm 暗电流@-5V: 0.5nA-5nA

    InGaAs四象限PIN光电二极管芯片,具有高可靠性和低漏电流,适用于多种光电应用。

  • XR-100CR 激光源模块
    美国
    分类:激光源模块
    厂商:Amptek Inc
    灵敏度: 1 mV/keV typical 探测器类型: Si-PIN 探测器尺寸: 6 mm2 to 25 mm2 硅厚度: 300 µm and 500 µm 能量分辨率: 145 eV FWHM to 230 eV FWHM

    XR-100CR是一款高性能的X射线探测器,采用热电冷却的Si-PIN光电二极管,具有优异的探测能力和稳定性。