• FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • CsTeQ-D-L 紫外线CsTe二极管探测器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Resonance
    阳极供电电压: 10-100 VDC 光谱响应: 160-320 nm 窗口材料: Quartz 峰值波长: 240 nm 光阴极电流: 1.2 uA

    Resonance Ltd.的CsTeQ-D-L是一个紫外线CsTe二极管探测器,带有石英窗口,可以通过适配器直接安装到2.75英寸的共平面法兰上。该二极管具有10%的峰值量子效率,适用于真空系统和宽波段光电检测。

  • CsIM-D-L VUVCsI二极管探测器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Resonance
    阳极供电电压: 10-100VDC 光谱响应: 112-180nm 窗口材料: MgF2 峰值波长: 125nm 光阴极直径: 8mm

    Resonance Ltd.的CsIM-D-L是一款VUV CsI二极管探测器,具有镁氟窗口,可以通过适配器直接安装到2.75英寸conflat法兰的真空系统上。适用于真空紫外波段探测,具有高灵敏度和稳定性。

  • SiX-D-L 硅二极管探测器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Resonance
    阳极供电电压: 0-50VDC 光谱响应: <0.1-1000nm 窗口材料: none 峰值波长: XUVnm 光阴极面积: 10x10mm

    SiX-D-L是一个扩展响应硅二极管探测器,无窗口,可直接安装在真空系统上,通过2.75英寸的conflat法兰与适配器连接。该二极管从近红外到极紫外的范围内都有响应。适用于近红外至极紫外范围检测,具有50-350mA/W的辐射灵敏度。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  •  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

  •  Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 3.9nA 电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 工作温度范围: 30-85°C

    多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成,彼此相邻排列,形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束,具有低电气串扰和超高均匀性,使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • Photop™系列光电二极管放大器混合器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

    Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围,集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器,特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽,适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管,以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求,所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据,以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • 塑料封装光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 暗电流: 多种值

    高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供,包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本(SOT-23)。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。