• UV增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

    OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列:反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

  • 紫外线增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

    OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列:反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

    1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块,采用超紧凑封装,不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景,掺铒光纤放大器和传感器。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • 1999CMX 高性能980纳米泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 150-550mW 无故障功率: 290-620mW 正向电流: 640-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMX是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,全面质量认证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块具有小型封装,密封良好,并集成了热电制冷器、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管。1999CMX是3SP Technologies推出的高性能980纳米泵浦模块,适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器。

  • AD200 高效单光子探测器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    量子效率: 70% 量子效率: 55% 功率: 单一+12V 波长: 400-1100nm 光电二极管击穿电压: 125V@25C

    Redwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块,内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域(约650nm)有很高的探测效率,并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ,可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。

  • AC1409系列单模泵浦激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 运行功率: 540-700mW 中心波长: 980nm 波长公差: -1/+1nm (FBG), -5/+5nm (without FBG) 光谱温度漂移: 0.01nm/°C (FBG), 0.30nm/°C (without FBG)

    AC1409系列单模冷却980nm泵浦激光器,提供超过700mW无突跳的光纤耦合功率。采用独特的激光焊接封装技术,确保在严苛的操作条件下高可靠性。通过先进的光纤尾纤构造技术实现改善的偏振消光比(PER)。14针蝶形封装为密封式,可选配光纤布拉格光栅(FBG),包括热电制冷器、热敏电阻、监测光电二极管和UniDry™干燥剂。适用于国防、工业和生命科学等领域。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。

  • EM169 高速检测器模块  光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:EM4 Technologies
    波长范围: 1280-1620nm 光输入功率: 6mW 响应度: 0.80-0.95A/W 暗电流: 100nA 3dB带宽: 20GHz

    EM169高速检测器模块设计用于数字和模拟应用,具有50欧姆阻抗匹配的射频连接。该模块包含一个InGaAs PIN光电二极管及必要的匹配电子元件,封装为密封式,带有与SMA兼容的射频连接器,从直流到20 GHz具有无波纹和线性响应。