用于驱动/控制激光二极管、SLD和SOA的紧凑型单元： •独立外壳组合： ♢设备电流驱动器（2A） ♢器件TEC驱动器（3A） ♢14针蝶形器件底座 ♢控制电路和固件 无需激光控制器和/或TEC电缆 外部调制功能、USB接口和控制应用 卓越的便利性和工学设计

790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容：PM光纤、选项2（窄发射@792nm，带FBG-TM3+泵浦的理想选择）和选项3（3mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时，可达到792 nm TM3+泵浦波长（所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节）。

单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时，可达到830 nm波长（所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器）。

单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW，830±1 nm多模105/125µm光纤输出，具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3（3 mm准直器）兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅（VBG）实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出（可按需提供SMA）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出（FC/PC按需提供）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

Eblana Photonics在设计时考虑到了氨气传感EP1512-DM-B激光二极管非常适合集成到用于NH3的TDLAS系统中。Eblana的离散模式（DM）技术是提供经济高效的解决方案，具有无跳模可调性和出色的SMSR。

LDS - 655 - FP - 1.5是一款光纤耦合的激光二极管（三种封装形式可选）。

Eblana Photonics EP1278 - DM - B激光二极管是专门为检测氟化氢而设计的，波长范围为1260 ~ 1288nm。Eblana的离散模式( Discrete Mode，DM )技术具有无跳模的可调性和出色的SMSR，具有成本效益。

美国Inphenix公司的宽带光源设备拥有超宽的带宽（如1250nm-1620nm SLD最大可达300nm带宽）和稳定的高功率。Inphenix宽带光源是基于Inphenix领先的超辐射发光二极管SLD SLED，可灵活定制以满足您对超带宽光源的苛刻需求。Inphenix宽带光源的波长范围从700nm到1700nm任您选择，其1310nm SLD 1550nm SLED 840nm 1050nm宽带光源设备的良好口碑广受赞誉，是理想的OEM集成宽带光源和台式宽带光源。

PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统，可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性，如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等，使其成为众多科学和工业应用的理想选择，包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块，采用单一改良的12引脚TO-8封装。

Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。