暗电流【参数，厂家，图片，选型】-光电查

FCI-InGaAs-75ACER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-75C-XX-XX

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-75CCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-75LCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-75WCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管，其波长范围为900至1700 nm，电容为0.65 PF，暗电流为0.03至2 nA，响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-8M

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

FCI-InGaAs-Q1000

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-Q3000

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-WCER-LR

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

LSC-30D

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 0.025 to 25 nA

OSI Laser Diode，Inc.的LSC-30D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为3µs.有关LSC-30D的更多详细信息，请联系我们。

LSC-5D

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.01 to 10 nA

OSI Laser Diode，Inc.的LSC-5D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容50 PF，暗电流0.01至10 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息，请联系我们。

OSD1-0

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 暗电流: 1 to 3 nA

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。

OSD1-5T

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 暗电流: 1 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为35 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为7µs.有关OSD1-5T的更多详细信息，请联系我们。

OSD1-E

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 to 35 pF 暗电流: 0.2 to 1 nA

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-E是波长范围为550 nm、电容为7至35 PF、暗电流为0.2至1 nA、响应度/光敏度为2.2 nA/Lux的光电二极管。有关OSD1-E的更多详细信息，请联系我们。

OSD100-0A

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。

OSD100-5TA

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。

OSD15-0

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 150 pF 暗电流: 8 to 15 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-0是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为20至150 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息，请联系我们。

OSD15-5T

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为390 PF，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息，请联系我们。

OSD15-E

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。

OSD3-5T

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 pF 暗电流: 2 nA

OSI Laser Diode，Inc.的OSD3-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为80 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9µs.有关OSD3-5T的更多详细信息，请联系我们。