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波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 4.5 A(max 10 sec)2 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片，60 摄氏度
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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 15mA8mW 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 50mA30mW 850 nm 高斯光束 VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 6mA用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: Continuous Forward Current：40mA；Pulse Current * ：300mA850nm RCLED 芯片
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储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHzVM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。
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发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mAV50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。
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工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nmR56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。
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工作波长: 840~1650nm 3 dB带宽: ≥30GHz 暗电流: <10pA 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nmD30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。
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工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nmT56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。
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VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)V25-850M用于测试目的的高速发射模块，集成了850纳米VCSEL，通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。
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发射波长: 835–865nm 最大数据速率: 50Gbit/s 带宽: 21GHz 上升/下降时间: 12/12ps 斜率效率: 0.3–0.45W/AV50-850M高速发射模块，集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤，用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。
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VCSEL类型: 多模 发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。
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储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/WOSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。
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储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mAFCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。
产品选型就用光电查
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